先进封装是“超越摩尔”(More than Moore)时代的一大技术亮点。当芯片在每个工艺节点上的微缩越来越困难、也越来越昂贵之际，工程师们将多个芯片放入先进的封装中，就不必再费力缩小芯片了。
3D封装：在2.5D封装中，裸晶堆栈或并排放置在具有硅通孔(TSV)的中介层(interposer)顶部。其底座，即中介层，可提供芯片之间的连接性。在3D IC封装中，逻辑裸晶堆栈在一起或与储存裸晶堆栈在一起，无需建构大型的系统单芯片(SoC)。裸晶之间透过主动中介层连接，2.5D IC封装是利用导电凸块或TSV将组件堆栈在中介层上，3D IC封装则将多层硅晶圆与采用TSV的组件连接在一起。
Chiplet封装：芯片库中有一系列模块化芯片可以采用裸晶到裸晶互连技术整合到封装中。Chiplet是3D IC封装的另一种形式，可以实现CMOS组件与非CMOS组件的异质整合(Heterogeneous integration)。换句话说，它们是较小型的SoC(System on Chip)，也叫做chiplet，而不是封装中的大型SoC。将大型SoC分解为较小的小芯片，与单颗裸晶相比具有更高的良率和更低的成本。Chiplet使设计人员可以充分利用各种IP，而不用考虑采用何种工艺节点，以及采用何种技术制造。他们可以采用多种材料，包括硅、玻璃和层压板来制造芯片。
扇出fan-out 封装：在扇出封装中，“连结”(connection)被扇出芯片表面，从而提供更多的外部I/O。它使用环氧树脂成型材料(EMC)完全嵌入裸晶，不需要诸如晶圆凸块、上助焊剂、倒装芯片、清洁、底部喷洒充胶和固化等工艺流程，因此也无需中介层，使异质整合变得更加简单。与其他封装类型相比，扇出技术提供了具有更多 I/O 的小尺寸封装。2016 年，它使 Apple 能够使用台积电的封装技术将其 16 纳米应用处理器与移动 DRAM 集成到 iPhone 7 的一个封装中，从而成为技术明星。
扇出晶圆FOWLP封装：技术是针对晶圆级封装(WLP)的改进，可以为硅芯片提供更多外部连接。它将芯片嵌入环氧树脂成型材料中，然后在晶圆表面建构高密度重分布层(RDL)并施加焊锡球，形成重构晶圆(reconstituted wafer)。它通常先将经过处理的晶圆切成单颗裸晶，然后将裸晶分散放置在载体结构(carrier structure)上，并填充间隙以形成重构晶圆。FOWLP在封装和应用电路板之间提供了大量连接，而且由于基板比裸晶要大，裸晶的间距实际上更宽松。